原位沉淀-焙烧法制备NiO/P-CNT复合材料及其电容性质 |
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引用本文: | 樊剑章,崔青霞,石 伟,周佳盼,米红宇.原位沉淀-焙烧法制备NiO/P-CNT复合材料及其电容性质[J].功能材料,2013(19). |
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作者姓名: | 樊剑章 崔青霞 石 伟 周佳盼 米红宇 |
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作者单位: | (新疆大学 化学化工学院;新疆 乌鲁木齐830046) |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(21063013);新疆维吾尔自治区高校科研计划资助项目(XJEDU2012I05);新疆大学博士启动基金资助项目(07020428024) |
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摘 要: | 以聚吡咯衍生的碳纳米管作为载体,通过原位沉淀-焙烧相结合,合成了新型的氧化镍/聚吡咯衍生碳纳米管(NiO/P-CNT)复合材料。采用粉末X射线衍射、热重、能谱、扫描电镜、透射电镜、循环伏安以及恒流充放电测试对样品进行表征和分析。结果表明,须状氧化镍均匀的负载在聚吡咯衍生的碳管表面,构成了具有三维网络结构的复合物。基于这种特殊结构的优势,该复合物在电流密度为2A/g下的比电容为382F/g,NiO在复合物中电容贡献为441F/g,而NiO的比电容为351F/g。经过400圈充放电后,复合物的比电容保持在90%以上,而NiO的容量保持率为82.6%。因此,该复合电极材料较NiO具有更高的比电容和更好的循环特性。
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关 键 词: | 原位沉淀-焙烧法 聚吡咯衍生的碳纳米管 复合材料 比电容 |
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