| 多层金属-n型4H-SiC的欧姆接触 |
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| 引用本文： | 韩 茹,杨银堂,王平,崔占东,李亮. 多层金属-n型4H-SiC的欧姆接触[J]. 半导体学报, 2007, 28(2): 149-153 |
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| 作者姓名： | 韩 茹 杨银堂 王平 崔占东 李亮 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;中国电子科技集团公司第13研究所，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第13研究所，石家庄 050051 |
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| 基金项目： | 教育部科学技术研究项目 , 国家部委预研计划 |
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| 摘 要： | 研究了热退火条件下Au/Ti/Ni-4H-SiC欧姆接触形成机制.通过950 ℃下的快速热退火形成的最低欧姆接触电阻为2.765×10-6 Ω·cm2.SIMS分析表明退火过程中NiSi化合物的形成会带来SiC内部多余C原子的溢出,并在接触面上与Ti形成间隙化合物TiC.这一过程造成接触表面存在由大量C空位形成的缺陷层从而增强了表面间接隧穿.通过界面能带结构图直观地解释了欧姆接触在热退火条件下的形成机制.
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| 关 键 词： | 碳化硅 欧姆接触 碳空位 界面能带结构 silicon carbide ohmic contact carbon vacancy interface band structure 金属 欧姆接触 Films Properties band structure defect layer level make clear during tunneling process create vacancies interface formation interstitial compound analysis silicide |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)02-0149-05 |
| 修稿时间： | 2006-10-03 |
Ohmic Contact Properties of Multi-Metal Films on n-Type 4H-SiC |
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| Han Ru,Yang Yintang,Wang Ping,Cui Zhandong and Li Liang. Ohmic Contact Properties of Multi-Metal Films on n-Type 4H-SiC[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(2): 149-153 |
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| Authors: | Han Ru Yang Yintang Wang Ping Cui Zhandong Li Liang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide ohmic contact carbon vacancy interface band structure |
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