| 蓝宝石上高电子迁移率AlGaN/GaN材料的研究 |
| |
| 引用本文： | 袁凤坡,梁栋,尹甲运,许敏,刘波,冯志宏.蓝宝石上高电子迁移率AlGaN/GaN材料的研究[J].半导体技术,2007,32(6):497-500. |
| |
| 作者姓名： | 袁凤坡 梁栋 尹甲运 许敏 刘波 冯志宏 |
| |
| 作者单位： | 专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051 |
| |
| 摘 要： | 通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺,获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层,同时通过优化AlGaN/GaN异质结材料中AlN插入层的厚度,获得了性能优良的AlGaN/GaN HEMT材料.室温下2DEG载流子面密度为1.21×10013/cm2,迁移率为1970 cm2/V·s,77 K下2DEG迁移率达到13000 cm2/V·s.
|
| 关 键 词： | 金属有机化学气相外延淀积 氮化镓 铝镓氮/氮化镓 异质结 二维电子气 |
| 文章编号： | 1003-353X（2007）06-497-04 |
| 修稿时间： | 2007-02-05 |
Study of High Electron Mobolity AlGaN/GaN Materials Grown on Sappire Substrates |
| |
| YUAN Feng-po,LIANG Dong,YIN Jia-yun,XU Min,LIU Bo,FENG Zhi-hong.Study of High Electron Mobolity AlGaN/GaN Materials Grown on Sappire Substrates[J].Semiconductor Technology,2007,32(6):497-500. |
| |
| Authors: | YUAN Feng-po LIANG Dong YIN Jia-yun XU Min LIU Bo FENG Zhi-hong |
| |
| Affiliation: | National Key Laboratory of ASIC, Shijiazhuang 050051, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MOCVD GaN AlGaN/GaN heterostructure 2DEG |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
