|
|||||
|
|
| GaAs／A1As异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究 | |
| 引用本文： | 薛舫时,邓衍茂.GaAs／A1As异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究[J].电子学报,1996,24(2):17-21. |
| 作者姓名： | 薛舫时 邓衍茂 |
| 摘 要： | 本文介绍了应用直接带隙ＧａＡｓ和间接带隙ＡｌＡｓ构成的量子阱产生异质谷间转移电子效应来制作新毫米波振荡器件－异质谷间转移电子器件。概述了器件的结构和基本的微波工作特性，器件已在８ｍｍ波段输出３２０ｍＷ连续波功率，最高振荡效率８％，脉冲工作时输出功率达２Ｗ，效率１０％，然后着重介绍该器件的振荡频率，输出功率随偏压的变化关系，突出它与常规耿氏器件之间的差异，最后简要描述器件计算机模拟中求出的器件内的电 |
| 关 键 词： | 异质谷间转移 电子器件 正反向偏置器件 振荡 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |