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| 掺杂GaAs单晶中位错的腐蚀观察与探讨 | |
| 引用本文： | 李玉增,王海涛,章新望.掺杂GaAs单晶中位错的腐蚀观察与探讨[J].稀有金属,1982(4). |
| 作者姓名： | 李玉增 王海涛 章新望 |
| 作者单位： | 冶金工业部有色金属研究总院，冶金工业部有色金属研究总院，冶金工业部有色金属研究总院 |
| 摘 要： | 本文阐述水平三温区炉生长的掺杂(Si,Te或Cr)GaAs中位错的腐蚀观察工艺和基本原理。详细探讨了由化学腐蚀所获得的一些结果,诸如位错坑,浅坑或碟坑,沉淀物和夹杂等。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |