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DOI
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分类号
杂志ISSN号
掺杂GaAs单晶中位错的腐蚀观察与探讨
作者姓名:
李玉增
王海涛
章新望
作者单位:
冶金工业部有色金属研究总院,冶金工业部有色金属研究总院,冶金工业部有色金属研究总院
摘 要:
本文阐述水平三温区炉生长的掺杂(Si,Te或Cr)GaAs中位错的腐蚀观察工艺和基本原理。详细探讨了由化学腐蚀所获得的一些结果,诸如位错坑,浅坑或碟坑,沉淀物和夹杂等。
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