InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀

分别采用 Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP（Inductively Couple Plasma）刻蚀。结果表明，两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系；在2 mTorr气压下，RF功率为50 W，SiCl4流量为3 sccm，Ar为9 sccm时，刻蚀速率为100 nm/min，且与材料的掺杂浓度无关。实验还表明，SiCl4/Ar作为刻蚀气体时，Ar流量在很大范围内对刻蚀速率没用明显影响，但Ar的流量越大，刻蚀的均匀性越好；用Cl2/Ar作为刻蚀气体时，刻蚀速率也是100 nm/min，但Ar流量对刻蚀速率有影响:当Ar流量小于3 sccm时，刻蚀速率随Ar流量的减小而明显降低。