| 在导电玻璃衬底上热壁外延生长GaAs薄膜 |
| |
| 引用本文： | 涂洁磊,陈庭金,章晨静,吴长树,施兆顺. 在导电玻璃衬底上热壁外延生长GaAs薄膜[J]. 太阳能学报, 2003, 0(Z1): 82-85 |
| |
| 作者姓名： | 涂洁磊 陈庭金 章晨静 吴长树 施兆顺 |
| |
| 作者单位： | 云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(59966002,60266002) |
| |
| 摘 要： | 该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、表面呈绒面结构、适合制作GaAs薄膜太阳电池.并全面分析了现有制备工艺条件对GaAs薄膜性能的影响,得出最佳的生长温度条件源温为900～930℃,衬底温度为500℃.
|
| 关 键 词： | GaAs/导电玻璃 热壁外延 太阳电池 薄膜材料 |
| 文章编号： | 0254-0096(2003)增刊-0082-04 |
| 修稿时间： | 2002-08-20 |
GaAs FILM GROWN ON CONDUCTING GLASS BY HOT WALL EPITAXY |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
