| 电子束曝光中电子散射模型的优化 |
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| 引用本文： | 宋会英 张玉林 魏强 孔祥东. 电子束曝光中电子散射模型的优化[J]. 微细加工技术, 2005, 0(3): 14-19 |
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| 作者姓名： | 宋会英 张玉林 魏强 孔祥东 |
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| 作者单位： | 山东大学,控制学院,电子束研究所,济南,250061 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重大研究计划资助项目（90307003）;山东省自然科学基金资助项目（Y2003G03）;山东省科技攻关计划基金资助项目（022090105） |
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| 摘 要： | 提出了在0.1 keV～30 keV能量范围内进行电子束曝光Monte Carlo模拟的分段散射模型优化方案.在该方案中,对所有的弹性散射均采用精确的Mott弹性散射截面.而对非弹性散射,当能量处于E0≤10 keV,10 keV＜E0≤20 keV和E0＞20 keV时,分别采用了Jov修正的Bethe公式、通常的Bethe公式和相对论效应修正的Bethe公式来计算总能量损失率;当E0≤20 keV和E0＞20 keV时,分别采用了Grvzinskv截面和Moller截面计算离散的能量损失率.发现模拟结果与实验结果很好地吻合,这比采用单一的散射模型和不考虑二次电子的Bethe公式得到的模拟结果更加符合实际的电子散射过程,其精度更高.
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| 关 键 词： | 电子束曝光 散射模型 Monte Carlo方法 二次电子 |
| 文章编号： | 1003-8213（2005）03-0014-06 |
| 收稿时间： | 2005-01-17 |
| 修稿时间： | 2005-03-07 |
Optimization of Electron Scattering Model in Electron Beam Lithography |
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| SONG Hui-ying, ZHANG Yu-lin,WEI Qiang,KONG Xiang-dong. Optimization of Electron Scattering Model in Electron Beam Lithography[J]. Microfabrication Technology, 2005, 0(3): 14-19 |
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| Authors: | SONG Hui-ying ZHANG Yu-lin WEI Qiang KONG Xiang-dong |
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| Keywords: | electron beam lithography scattering model Monte Carlo method secondary- electron |
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