| 新一代全方位离子注入及增强沉积工业机 |
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| 引用本文： | 童洪辉,陈庆川,霍岩峰,王珂,穆莉兰,冯铁民,赵军,严冰,耿漫.新一代全方位离子注入及增强沉积工业机[J].真空,2002(2):48-52. |
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| 作者姓名： | 童洪辉 陈庆川 霍岩峰 王珂 穆莉兰 冯铁民 赵军 严冰 耿漫 |
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| 作者单位： | 核工业西南物理研究院,四川,成都,610041 |
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| 摘 要： | 本文报告了核工业西南物理研究院最近研制开发的新一代全方位离子注入及增强沉积工业机。该机直径 90 0 m m,高 10 5 0 m m,立式放置 ,抽气系统由分子泵及机械泵构成并且实现了 PL C控制 ,本底真空小于 4× 10 - 4Pa。气体和金属等离子体可分别由热阴极放和三个高效磁过滤式金属等离子体源产生。真空室顶部预留了法兰口并配有冷却靶台。该机的负高压脉冲幅值为 10～ 80 k V,重复频率为 5 0～ 5 0 0 Hz,脉冲上升沿小于 2 μs,并且可根据需要产生脉冲串。一般地等离子体密度为 10 8～ 10 1 0 cm- 3,膜沉积速率为0 .1～ 0 .5 nm/s。文中亦报道了一些实验结果
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| 关 键 词： | 离子注入 增强沉积 等离子体源 |
| 文章编号： | 1002-0322(2002)02-0048-05 |
| 修稿时间： | 2001年11月20 |
A new generation industrial machine for the plasma immersion ion implantation and enhanced deposition |
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| TONG Hong hui,CHEN Qing chuan,HUO Yan feng,WANG Ke,MU Li lan,FENG Tie min,ZHAO Jun,YAN Bing,GENG Man.A new generation industrial machine for the plasma immersion ion implantation and enhanced deposition[J].Vacuum,2002(2):48-52. |
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| Authors: | TONG Hong hui CHEN Qing chuan HUO Yan feng WANG Ke MU Li lan FENG Tie min ZHAO Jun YAN Bing GENG Man |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ion implantation enhanced deposition plasma sources |
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