| 化学浴沉积PbSe多晶薄膜及其光电性能初探 |
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| 引用本文： | 陈凤金, 司俊杰, 姚官生, 张庆军. 化学浴沉积PbSe多晶薄膜及其光电性能初探[J]. 红外技术, 2009, 31(10): 610-613. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.10.013 |
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| 作者姓名： | 陈凤金 司俊杰 姚官生 张庆军 |
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| 作者单位： | 中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471003;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471003;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471003;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471003 |
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| 基金项目： | 国家航空科学基金自由申请类项目(No.2007ZC12003) |
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| 摘 要： | 分别以硒脲和硒粉为Se2-制备剂的主要原料,用化学浴沉积法制备了PbSe多晶薄膜.对所制备薄膜用形貌、XRD、TEM和红外透射谱等方法进行表征分析.两种制备方法均获得了结晶度良好的PbSe多晶薄膜.以硒粉所制备PbSe膜颗粒度为1 μm,以硒脲所制备的薄膜颗粒度为0.3μm,小颗粒薄膜出现红外吸收限蓝移现象.测得由所制备的薄膜得到PbSe光导型探测器原型器件的电压响应率为1200V/W.
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| 关 键 词： | 硒化铅 化学浴沉积 多晶薄膜 光电性能 |
PbSe Polycrystalline Film by Chemical Bath Deposition and It's Photoelectricity Properties |
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| CHEN Feng-jin, SI Jun-jie, YAO Guan-sheng, ZHANG Qing-jun. PbSe Polycrystalline Film by Chemical Bath Deposition and It's Photoelectricity Properties[J]. Infrared Technology , 2009, 31(10): 610-613. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.10.013 |
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| Authors: | CHEN Feng-jin SI Jun-jie YAO Guan-sheng ZHANG Qing-jun |
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| Affiliation: | China Airborne Missile Academy;Luoyang Henan 471009;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PbSe chemical bath deposition polycrystalline film photoelectricity properties |
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