| 半绝缘GaAs光导开关不完全击穿前后暗态电阻降低原因新探 |
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| 引用本文： | 李希阳,戴慧莹,施卫,候军燕,杨丽娜.半绝缘GaAs光导开关不完全击穿前后暗态电阻降低原因新探[J].大气与环境光学学报,2006,1(3):222-225. |
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| 作者姓名： | 李希阳 戴慧莹 施卫 候军燕 杨丽娜 |
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| 作者单位： | 空军工程大学,陕西,西安,710073;空军工程大学,陕西,西安,710073;空军工程大学,陕西,西安,710073;空军工程大学,陕西,西安,710073;空军工程大学,陕西,西安,710073 |
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| 摘 要： | 为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理，通过实验以及理论研究方法，研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化，认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度，导致了击穿后暗态阻值的减小。
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| 关 键 词： | 半绝缘GaAs 暗态电阻 EL2 电子陷阱 |
| 文章编号： | 1673-6141(2006)03-0222-04 |
| 收稿时间： | 2005-09-27 |
| 修稿时间： | 2006-05-30 |
Dark Resistivity of GaAs Photoconductive-switch Before and After Break Down |
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| LI Xi-yang,DAI Hui-ying,SHI Wei,HOU Jun-yan,YANG Li-na.Dark Resistivity of GaAs Photoconductive-switch Before and After Break Down[J].Journal of Atmospheric and Environmental Optics,2006,1(3):222-225. |
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| Authors: | LI Xi-yang DAI Hui-ying SHI Wei HOU Jun-yan YANG Li-na |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | EL2 |
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