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| C轴取向ZnO压电薄膜的制备 | |
| 引用本文： | 一四二六研究所组.C轴取向ZnO压电薄膜的制备[J].压电与声光,1979(4). |
| 作者姓名： | 一四二六研究所组 |
| 摘 要： | 本文扼要叙述用直流溅射法制备具有较高电阻,C轴取向好的ZnO压电薄膜的方法.沉积条件为:溅射电流密度J=1.2—1.5毫安/厘米~2,溅射气压P=6×10~(-2)—1×10~(-1)毛,基片温度Ts=160—280℃,沉积速率V=0.1—0.4微米/小时,得到的薄膜洁净透明,分散度α<6°,偏离度M≤3°,电阻率ρv=105—10~7欧-厘米,粒度300—500埃.并探索了温度,基片位置,气体组分对薄膜性能的影响. |
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