| 超薄层材料生长技术 |
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| 引用本文： | 孙再吉.超薄层材料生长技术[J].微纳电子技术,1998(1). |
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| 作者姓名： | 孙再吉 |
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| 作者单位： | 电子工业部第五十五研究所 |
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| 摘 要： | 半导体超薄层材料的研究，依赖于先进的外延生长技术。本文着重该领域的ＭＢＥ。ＭＯＣＶＤ，ＣＢＥ和ＡＬＥ的发展现状及关键技术作一综述。
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| 关 键 词： | 超薄层材料，外延生长，生长机理 |
Epitaxial Techniques of Ultrathin Layer Materials |
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| Sun Zaiji.Epitaxial Techniques of Ultrathin Layer Materials[J].Micronanoelectronic Technology,1998(1). |
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| Authors: | Sun Zaiji |
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| Abstract: | The study of semiconductor ultrathin layer materials relies on advanced epi- taxial techniques. This article mainly describes the current status for MBE , MOCVD , CBE , ALE , and their key technologies. |
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| Keywords: | Ultrathin layer material Epitaxial technique Growth mechanism |
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