| GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器 |
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| 引用本文： | 曲轶,高欣,张宝顺,薄报学,张兴德,石家纬.GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器[J].中国激光,2000,27(12):1072-1074. |
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| 作者姓名： | 曲轶 高欣 张宝顺 薄报学 张兴德 石家纬 |
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| 作者单位： | 1. 吉林大学电子工程系,长春,130023;长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022
2. 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022 |
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| 摘 要： | 分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出 Ga Al As/Ga As梯度折射率分别限制单量子阱材料 ( GRIN- SCH- SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到 10 W(室温 ,连续 ) ,峰值波长为 80 6～ 80 9nm
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| 关 键 词： | 分子束外延 量子阱 列阵 半导体激光器 |
| 收稿时间： | 1999/5/17 |
GaAlAs/GaAs Single Quantum Well Array Semiconductor Lasers |
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| Qu Yi,Gao Xin,Zhang Baoshun,Bo Baoxue,Zhang Xingde,Shi Jiawei.GaAlAs/GaAs Single Quantum Well Array Semiconductor Lasers[J].Chinese Journal of Lasers,2000,27(12):1072-1074. |
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| Authors: | Qu Yi Gao Xin Zhang Baoshun Bo Baoxue Zhang Xingde Shi Jiawei |
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| Abstract: | In this paper,the factors influencing the ultimate output power of laser diodes are analyzed.The GaAlAs/GaAs material with gradient refraction index,separate confinement single quantum well structure has been grown by MBE.The CW output power of the array diode laser is 10 W.The peak wavelength is 806～809 nm. |
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| Keywords: | MBE quantum well array semiconductor lasers |
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