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| MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究 | |
| 引用本文： | 胡雨生,胡福义,汪乐,李爱珍,范伟栋.MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究[J].半导体学报,1993,14(3):133-138. |
| 作者姓名： | 胡雨生 胡福义 汪乐 李爱珍 范伟栋 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，上海200050 |
| 摘 要： | 本文采用光调制反射光谱(PR),双晶衍射(DCRD),光荧光激发光谱(PL)等技术研究了MBE-GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况,以及从不同温度快速热退火后GaAs/Si(PR)谱的变化可看出GaAs外延层应变随退火温度增大而增大,GaAs能隙则随之下降,考虑到应力随温度变化因素后这些不同的测试方法所得的结论与(PR)谱结果基本一致。因此用室温光反射调制光谱对于检测室温下GaAs/Si材料的质量,剩余应力等是方便而有力的方法。 |
| 关 键 词： | GaAs／Si材料 分子束外延 调制光谱 |
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