| (CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究 |
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| 引用本文： | 李国华,韩和相,汪兆平,李杰,何力,袁诗鑫.(CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究[J].半导体学报,1993,14(4):199-207. |
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| 作者姓名： | 李国华 韩和相 汪兆平 李杰 何力 袁诗鑫 |
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| 作者单位： | 半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所，半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所，半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所，中国科学院上海技术物理所，中国科学院上海技术物理所，中国科学院上海技术物理所 北京 100083，北京 100083，北京 100083，上海 200083，上海 200083，上海 200083 |
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| 摘 要： | (CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱是由(CdTe)_m(ZnTe)_n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的临界厚度。静压下的光致发光研究表明加压后(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格和ZnTe势垒层的光致发光峰分别以8.80和 9.47meV/kbar的速率向高能移动。利用这种静压下的带隙变化,实现了与514.5和488.0nm激发光的共振喇曼散射。观察到高达4阶的多声子共振喇曼散射。并发现与(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格共振时的类ZnTe LO声子模频率比与ZnTe热垒共振时的ZnTe LO声子频率低1.4cm~(-1)。反映了在(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格中LO声子的局域效应。
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| 关 键 词： | 化合物半导体 量子阱结构 光致发光 |
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