| 碳掺杂In_xGa_(1-x)As的MOMBE生长与特性 |
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| 引用本文： | 齐鸣,罗晋生,白坚淳一,山田巧,野崎真次,高桥清,德光永辅,小长井诚.碳掺杂In_xGa_(1-x)As的MOMBE生长与特性[J].半导体学报,1993,14(7):402-409. |
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| 作者姓名： | 齐鸣 罗晋生 白坚淳一 山田巧 野崎真次 高桥清 德光永辅 小长井诚 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电子工程系，西安交通大学电子工程系，东京工业大学电子物理工学科，东京工业大学电子物理工学科，东京工业大学电子物理工学科，东京工业大学电子物理工学科，东京工业大学电气电子工学科，东京工业大学电气电子工学科 西安710049，西安710049 |
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| 摘 要： | 本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂In_xGa_(1-x)As(x=0-0.98)的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度具有强烈影响。在x=0-0.8的范围内空穴浓度随x的增大而减小,当x>0.8时导电类型转变为n型。探讨了MOMBE法生长In_xGa_(1-x)As的掺碳机理及其对载流子浓度和导电类型的影响,并用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)等方法分析了外延层质量。
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| 关 键 词： | 半导体器件 掺杂 InGaAs MOMBE 碳 |
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