| InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应 |
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| 引用本文： | 刘伟,张耀辉,江德生,王若桢,周钧铭,梅笑冰.InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应[J].半导体学报,1993,14(8):517-521. |
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| 作者姓名： | 刘伟 张耀辉 江德生 王若桢 周钧铭 梅笑冰 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，北京师范大学物理系，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所 北京 100083 北京师范大学物理系，北京 1000875，北京 100083，北京 100083，北京 1000875，北京 100080，北京 100080 |
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| 摘 要： | 本文利用光电流谱方法研究了10—300K温度范围内In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应,在室温及低温下均观察到明显的吸收边场致“蓝移”现象,并对Stark-ladder激子跃迁的能量位置及振子强度随电场的变化给予详细讨论。实验结果表明,利用In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层超晶格的Wannier-Stark效应可以制作0.98μm波长范围的电光调制器和自电光双稳器件。
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| 关 键 词： | 化合物半导体 应变层 超晶格 效应 |
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