BR2^＋注入硅分子效应的椭偏谱多层分析

把离子注入层设想成由50多层的微分薄层构成，用以研究BF2^ 的分子效应，我们在1．6－5．0eV光子能量范围内，测量了不同剂量（3×10^13-5×10^15ion/cm^2),147keV BF2^ 分子离子77K注入硅以及相应的B^ 、F^ 注入硅样品的椭偏谱。由实验则得的离子注入样品的椭偏光谱、多层薄膜光学模型、有效介质近似理论（EMA）和计算软件，可分析离子注入硅的损伤分布、表面自然氧化物的非均匀性和界面组份。其分析结果与背散射沟道技术和透射电子显微镜的测定结果相一致。研究中发现，低温BF2^ 注入的损伤层和非晶层都首先在样品表面形成，与B^ 、F^ 注入损伤相比，BF2^ 注入存在显的分子效应。