| LaNiO3缓冲层对Pb(Zr,Ti)O3铁电薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 王根水,石富文,孙璟兰,孟祥建,戴宁,褚君浩.LaNiO3缓冲层对Pb(Zr,Ti)O3铁电薄膜的影响[J].功能材料与器件学报,2004,10(3):294-298. |
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| 作者姓名： | 王根水 石富文 孙璟兰 孟祥建 戴宁 褚君浩 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金委优秀实验室专项基金(60223006);上海市光科技项目(022261020);中国科学院红外物理国家重点实验室开放课题资助项目(200304) |
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| 摘 要： | 采用化学溶液法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了PbZr0．4Ti0.6O3／LaNiO3(PZT／LNO)多层薄膜。X射线衍射测量表明LNO缓冲层的引入使PZT薄膜(111)择优取向度减小，(100)取向增加。原子力显微镜测量表明引入LNO缓冲层使得PZT薄膜表面更加平整、致密。在LNO缓冲层上制备的PZT薄膜具有优良的铁电特性和介电特性：LNO缓冲层厚度为40nm时，500kV／cm的外加电．场下。剩余极化(Pr)为37．6μC／cm^2，矫顽电场(Ec)为65kV／cm；100kHz时，介电常数达到822，并且发现LNO缓冲层的厚度为40nm，PZT的铁电、介电特性改进最为显著。
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| 关 键 词： | LaNiO3 PbZr0.4Ti0.6O3 铁电薄膜 剩余极化 介电特性 |
| 文章编号： | 1007-4252(2004)03-0294-05 |
| 修稿时间： | 2003年10月13 |
Effect of LaNiO3 buffer layer on properties of Pb(Zr, Ti)O3 thin films |
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| WANG Gen-shui,SHI Fu-Wen,SUN Jing-Lan,MENG Xiang-Jian,DAI Ning,CHU Jun-hao.Effect of LaNiO3 buffer layer on properties of Pb(Zr, Ti)O3 thin films[J].Journal of Functional Materials and Devices,2004,10(3):294-298. |
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| Authors: | WANG Gen-shui SHI Fu-Wen SUN Jing-Lan MENG Xiang-Jian DAI Ning CHU Jun-hao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LaNiO3 PbZr0 4Ti0 6O3 ferroelectric thin films remnant polarization dielectric properties |
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