MIM开关器件的伏安特性研究

研究了MIM器件的电导机制，详细介绍了新提出的MIM器件的p-n^--n能带模型，同时利用这一能带模型解释并验证了上电极材料的选择，下电极材料掺N以及用溅射Ta2O5膜代替阳极氧化T2O5膜作绝缘层对MIM器件伏安特性曲线对称性的影响。利用p-n^--n能带模型首次提出用在氢气气氛下热处理的阳极氧化Ta2O5膜作MIM器件的绝缘层可以提高器件的I－V特性曲线的对称性这一新实验方法，另外，本文还较为详细地讨论了阳极氧化过程对MIM器件特性的影响，并首次讨论了对阳极氧化Ta2O5膜进行热处理时，退火方式和反应室气压变化对MIM器件I－V特性的影响。