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关于提高接触式光刻机套刻精度的几个问题
引用本文:王超义.关于提高接触式光刻机套刻精度的几个问题[J].微纳电子技术,1979(Z1).
作者姓名:王超义
作者单位:九室光刻机设计组
摘    要:随着半导体技术突飞猛进的发展,对于制造半导体器件的重要工艺——光刻工艺的要求也越来越高。这些要求中“关于如何提高接触式光刻机套刻精度问题”已成为当前设计新的接触式光刻机的焦点。本文仅就这个问题谈一些粗浅看法。一、目前光刻机发展概况从目前光刻机发展趋向来看,曝光光波越来越短。因为光刻图形分辨率与所用曝光光波的长度的平方根成正比,所以总的趋向是改变曝光的光源。由于它的改变又引起曝

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