| MS界面输运特性对碲镉汞光伏器件I—V特性的影响 |
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| 引用本文： | 胡晓宁 李言谨 等. MS界面输运特性对碲镉汞光伏器件I—V特性的影响[J]. 红外与毫米波学报, 2001, 20(3): 165-168 |
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| 作者姓名： | 胡晓宁 李言谨 等 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (编号 1980 5 0 14 )，苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室开放课题部分资助项目&& |
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| 摘 要： | 根据金属－碲镉汞接触的基本电流－电压关系，深入讨论了金属－半导体（MS）接触界面输运特性对碲镉汞光伏器件I－V特性的影响，并对实际器件的测量数据进行了分析比较。
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| 关 键 词： | I－V特性 金属－碲镉汞接触 碲镉汞光伏器件 红外焦平面器件 界面 输运特性 |
| 修稿时间： | 2000-11-07 |
INFLUENCE OF MS INTERFACE TRANSPORT ON THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC OF MCT PV DEVICE |
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| HU Xiao Ning LI Yan Jin FANG Jia Xiong. INFLUENCE OF MS INTERFACE TRANSPORT ON THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC OF MCT PV DEVICE[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2001, 20(3): 165-168 |
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| Authors: | HU Xiao Ning LI Yan Jin FANG Jia Xiong |
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| Abstract: | The influence of MS transport on the current voltage characteristic of MCT PV device was investigated based on the current voltage characteristics of MCT Schottkey barrier. The data of some devices were also discussed. |
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| Keywords: | current voltage characteristic M MCT contact MCT PV device. |
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