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一种1GHz多频带压控振荡器的设计
引用本文:吕荫学,刘梦新,罗家俊,叶甜春.一种1GHz多频带压控振荡器的设计[J].微电子学与计算机,2013,30(2).
作者姓名:吕荫学  刘梦新  罗家俊  叶甜春
作者单位:中国科学院微电子研究所,北京,100029
摘    要:基于3.3V 0.35μm TSMC 2P4M CMOS体硅工艺,设计了一款1GHz多频带数模混合压控振荡器.采用环形振荡器加上数模转换器结构,控制流入压控振荡器的电流来调节压控振荡器的频率而实现频带切换.仿真结果表明,在1V~2V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围为823.3MHz~1.061GHz,且压控振荡器的增益仅有36.6MHz/V,振荡频率为1.0612GHz时,频率偏差1MHz处的相位噪声为-96.35dBc/Hz,在获得较大频率调节范围的同时也能保持很低的增益,从而提高了压控振荡器的噪声性能.

关 键 词:频率合成器  锁相环  压控振荡器  多频带  数模转换

A 1GHz Multiband Voltage-Controlled Oscillator Design
Abstract:
Keywords:
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