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| 一种基于ARCT的抗辐射加固器件结构设计 | |
| 引用本文： | 李遨宇,李同合,邵志标.一种基于ARCT的抗辐射加固器件结构设计[J].微电子学与计算机,2013,30(4). |
| 作者姓名： | 李遨宇 李同合 邵志标 |
| 作者单位： | 西安交通大学微电子学系,陕西西安,710049 |
| 摘 要： | 本文在探索半导体器件辐射损伤效应与机理的基础上,研究了通过器件的优化设计达到抗辐射加固性能要求的有效方法.基于0.18μmCMOS工艺条件,利用DVINCI三维器件模拟软件,建立了具有较好抗辐射性能的FD-SOI/MOSFET器件的加固模型,并提出了一种新型有源区裁剪(ARC)的双多晶硅栅结构晶体管.通过模拟辐射环境下器件的工作情况,证明该种结构具有很强的抗总剂量辐射的能力. |
| 关 键 词： | 抗辐射加固 总剂量效应 单粒子效应 DVINCI模拟 双栅有源区裁剪 |
Design a Semiconductor Device for the Radiation-Harden |
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