应用VMOSFET的匝间耐压试验仪的研制 |
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引用本文: | 高嵩,庹先国,任家富. 应用VMOSFET的匝间耐压试验仪的研制[J]. 中国测试技术, 2004, 30(2): 12-13,16 |
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作者姓名: | 高嵩 庹先国 任家富 |
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作者单位: | 成都理工大学信息工程学院,成都,610059 |
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摘 要: | 针对直流电机制造过程中电枢绕组的静态匝间耐压试验,提出了一种应用VMOS场效应管作为放电器件的试验方法,并基于此研制了实用的匝间耐压试验仪。
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关 键 词: | 匝间耐压试验仪 研制 VMOSFET 直流电机 电枢绕组 场效应管 |
文章编号: | 1672-4984(2004)02-0012-02 |
Application research on armature insulation testing apparatus apply to vmosfet |
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