首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

应用VMOSFET的匝间耐压试验仪的研制
引用本文:高嵩,庹先国,任家富. 应用VMOSFET的匝间耐压试验仪的研制[J]. 中国测试技术, 2004, 30(2): 12-13,16
作者姓名:高嵩  庹先国  任家富
作者单位:成都理工大学信息工程学院,成都,610059
摘    要:针对直流电机制造过程中电枢绕组的静态匝间耐压试验,提出了一种应用VMOS场效应管作为放电器件的试验方法,并基于此研制了实用的匝间耐压试验仪。

关 键 词:匝间耐压试验仪 研制 VMOSFET 直流电机 电枢绕组 场效应管
文章编号:1672-4984(2004)02-0012-02

Application research on armature insulation testing apparatus apply to vmosfet
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号