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| GaAlAs/GaAs外延层多层膜X射线干涉条纹的研究 | |
| 作者姓名： | 高大超 冯禹臣 袁佑荣 |
| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所 长春 (高大超,冯禹臣),中国科学院长春物理研究所 长春(袁佑荣) |
| 摘 要： | 作者在MBE法和LPE法生长的GaAlAs/GaAs外延片中观察到了多层膜的X射线干涉条纹.用X射线双晶测角仪记录了这种干涉条纹,并从条纹振荡的周期计算出外延片中相应外延层的厚度.在实验样品具有一定曲率半径(在本实验条件下10—30米)的情况下,用X射线双晶形貌法摄取了这种干涉条纹相,并对弯曲外延片的成相几何进行了分析;通过测量貌相图上干涉条纹的振荡周期,计算出了外延片的曲率半径. |
| 关 键 词： | X射线 GaAlAs/GaAs 干涉条纹 双晶形貌 迴摆曲线 |
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