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| 半导体纳米结构的新光电子学性质 | |
| 引用本文： | 白光,吉禾.半导体纳米结构的新光电子学性质[J].激光与光电子学进展,2001(6):11-13. |
| 作者姓名： | 白光 吉禾 |
| 摘 要： | 纳米光子学国际会议于 1 999年 3月在俄罗斯科学院微结构物理研究所的所在地下诺夫戈罗德举行。这已是有关半导体纳米结构物理的第二次会议。第一次会议于 1 998年召开。会上讨论两个方向的现状。第一 ,与以硅 (Si Ge、Si/A3B5、Si/Ge/C、Si/Ge/Sn、Si/Si O2 量子阱和量子点 )、多孔硅和含有稀土元素的纳米晶体硅为基础的异质结构的光电子学性质基础有关的物理现象 ,相应的纳米结构生长工艺和特性 ;第二 ,在具有量子阱的半导体结构中的热载流子在强电场和磁场中的非平衡、反转分布及带内光学跃迁的物理问题 ,包括反转机理和在中、远红… |
| 关 键 词： | 半导体材料 纳米结构 光电子学 |
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