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增益可调宽带CMOS低噪声放大器设计
作者姓名:傅开红
作者单位:杭州电子科技大学,射频电路与系统教育部重点实验室,杭州310018;杭州电子科技大学,射频电路与系统教育部重点实验室,杭州310018;杭州电子科技大学,射频电路与系统教育部重点实验室,杭州310018;杭州电子科技大学,射频电路与系统教育部重点实验室,杭州310018
基金项目:国家自然科学基金资助(60776052)
摘    要:设计了一种应用于超宽带系统中的可变增益宽带低噪声放大器。电路中采用了二阶巴特沃斯滤波器作为输入和输出匹配电路;采用了两级共源共栅结构实现电路的放大,并通过控制第二级的电流,实现了在宽频带范围内增益连续可调;采用了多栅管(MGTR),提高了电路的线性度;设计基于SMIC 0.18μm CMOS工艺。仿真结果显示,在频带3~5 GHz的范围内最高增益17 dB,增益波动小于1.8 dB,输入和输出端口反射系数分别小于-10 dB和-14 dB,噪声系数nf小于3.5 dB,当控制电压Vctrl=1.4 V时,IIP3约为2 dBm,电路功耗为16 mW。

关 键 词:低噪声放大器(LNA)  增益可调  宽带  CMOS  多栅管
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