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高纯钴制备中痕量铜杂质去除工艺的研究
引用本文:刘丹,李轶轁,贺昕. 高纯钴制备中痕量铜杂质去除工艺的研究[J]. 有色金属工程, 2014, 4(1)
作者姓名:刘丹  李轶轁  贺昕
作者单位:北京有色金属研究总院,北京有色金属研究总院,北京有色金属研究总院
摘    要:采用离子交换法在Co2 =60g.L-1,Cu2 =5mg.L-1氯化钴体系中进行了铜杂质去除的研究,考察了树脂种类、温度,pH值、电解进液方式对除铜效果的影响。结果表明:料液温度为20℃~30℃,pH=2~5时,树脂DI除铜效果最佳,净化后料液中Cu<0.1mg.L-1,且交换容量大,容易再生,采用逆流进液方式隔膜电解,电积钴经辉光放电质谱法(GD-MS)全元素(73个)分析,纯度可达99.9995%。

关 键 词:高纯钴  除铜  隔膜电解  辉光放电质谱法
收稿时间:2013-06-04
修稿时间:2013-06-07

Study on Trace Copper Impurities Removal for Preparing High Purity Cobalt
LIU Dan,LI yitao and HE Xin. Study on Trace Copper Impurities Removal for Preparing High Purity Cobalt[J]. Nonferrous Metals Engineering, 2014, 4(1)
Authors:LIU Dan  LI yitao  HE Xin
Affiliation:General Research Institute for Nonferrous Metals,Grikin Advanced Materials Co.,Ltd,General Research Institute for Nonferrous Metals,Grikin Advanced Materials Co.,Ltd,General Research Institute for Nonferrous Metals,Grikin Advanced Materials Co.,Ltd
Abstract:
Keywords:high-purity cobalt   removing copper   diaphragm electrolysis   glow discharge mass spectrometre (GD-MS)
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