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| 高速BiCMOS工艺研究 | |
| 引用本文： | 许忠义,章定康.高速BiCMOS工艺研究[J].半导体技术,1995(5):48-53. |
| 作者姓名： | 许忠义 章定康 |
| 作者单位： | 北京微电子技术研究所，西安微电子技术研究所 |
| 摘 要： | 研究开发一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，该工艺采用乍对准双埋双阱及外延结构。外延层厚度２．０－２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化隔离，双极器件采用多晶硅发射极晶体管。利用此工艺试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｑｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力 ０．６２ｎｓ／ｐＦ，明显ＣＭＯＳ门。 |
| 关 键 词： | 铋 场效应型 集成电路 工艺 |
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