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加压布里奇曼法生长大直径HgCdTe晶体
作者姓名:王跃  李全保  韩庆林  马庆华  宋炳文  介万奇  周尧和
作者单位:昆明物理研究所材料研究室!昆明650223(王跃,李全保,韩庆林,马庆华,宋炳文),西北工业大学凝固技术国家重点实验室!西安710072(介万奇),西北工业大学凝固技术国家重点(周尧和)
基金项目:国防科工委预研项目;;
摘    要:根据加压改进布里奇曼法 ,采用“二次配料”工艺成功地生长了直径 40 mm的大直径 Hg Cd Te (组分 x≈0 .2 0 )晶体 .采用加压技术 ,平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压 ,有效地避免了石英安瓶的爆裂 ;采用“二次配料”工艺 ,大大降低了生长温度 ;合理选择温度梯度和生长速度 ,获得了有较好结晶性和组分均匀性的 Hg Cd Te晶体 .分析表明 :Hg Cd Te晶片的载流子浓度 n77≤ 4× 10 1 4 cm- 3 ,迁移率 μ77≥ 1× 10 5 cm2 /(V· s) ,少数载流子寿命值 τ≥ 2 .0 μs,80 K时简单的性能测试用光导探测器件的探测率 D*为 1.1× 10 1 0 cm· Hz1 /2 /W.

关 键 词:加压布里奇曼法   HgCdTe晶体   二次配料工艺   晶体结构完整性   组分均匀性
文章编号:0253-4177(2001)04-0440-06
修稿时间:1999-12-27
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