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Ti5Si3电极层表面沉积BST薄膜及其介电性能研究
引用本文:任招娣,杜丕一,徐铭,翁文剑,韩高荣,沈鸽. Ti5Si3电极层表面沉积BST薄膜及其介电性能研究[J]. 稀有金属材料与工程, 2008, 37(Z1): 455-458
作者姓名:任招娣  杜丕一  徐铭  翁文剑  韩高荣  沈鸽
作者单位:浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50672084)
摘    要:使用溶胶-凝胶法在涂覆有Ti5Si3电极层的玻璃基板上成功制备了Ba/Sr为64的BST薄膜,并对该薄膜在600℃进行了热处理.使用XRD,阻抗分析仪对薄膜进行了测试,研究了不同热处理条件对薄膜介电性能的影响.结果表明,由于非氧化物Ti5Si3电极层中氧空位等缺陷含量少,因此可成功制备缺陷少,质量良好的BST薄膜.快速升温可得到的薄膜晶相含量较多,多次重复热处理使薄膜中晶相的缺陷相对较少;控制薄膜的热处理条件,可以控制薄膜的电容和损耗.

关 键 词:溶胶-凝胶  BST  Ti5Si3  结晶
文章编号:1002-185X(2008)S1-455-04
修稿时间:2007-09-10

Preparation and Dielectric Properties of BST Films Deposited on Ti5Si3 Electrode Layer
Ren Zhaodi,Du Piyi,Xu Ming,Weng Wenjian,Han Gaorong,Shen Ge. Preparation and Dielectric Properties of BST Films Deposited on Ti5Si3 Electrode Layer[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2008, 37(Z1): 455-458
Authors:Ren Zhaodi  Du Piyi  Xu Ming  Weng Wenjian  Han Gaorong  Shen Ge
Abstract:
Keywords:
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