| LTCC片式耦合器的仿真设计研究 |
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| 引用本文： | 王升.LTCC片式耦合器的仿真设计研究[J].磁性材料及器件,2012,43(5):28-30,39. |
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| 作者姓名： | 王升 |
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| 作者单位： | 西南应用磁学研究所,四川绵阳,621000 |
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| 摘 要： | 给出了一种基于LTCC技术的多层片式定向耦合器的设计方法.该设计采用宽边耦合的传输线实现耦合,并且在基体材料内没有地层,因而可以得到紧凑的结构.给出了通过电磁仿真软件HFSS仿真及设计DCS/PCS频段LTCC耦合器的详细实例.仿真结果表明,该器件频率使用范围为1810±100MHz,插入损耗不超过0.21dB,耦合度为16.5±1.0dB,电压驻波比不超过1.08,输出相位为90±2°,外型尺寸仅为1.0×0.5×0.35mm3;能够满足DCS/PCS频段手机的应用要求.
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| 关 键 词： | 片式耦合器 低温共烧陶瓷 仿真 性能 |
Simulation and design of a chip LTCC coupler |
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| WANG Sheng.Simulation and design of a chip LTCC coupler[J].Journal of Magnetic Materials and Devices,2012,43(5):28-30,39. |
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| Authors: | WANG Sheng |
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| Affiliation: | WANG Sheng Southwest Institute of Applied Magnetics,Mianyang 621000,China |
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