Fe_2O_3半透明掩模的制备和应用

在伟大领袖毛主席亲自发动和领导的无产阶级文化大革命取得了全面胜利的大好形势下,促进了我国电子工业的飞速发展。由于电子工业的迅速发展,对半导体器件的制造提出了更高的要求。 目前半导体生产正向高频大功率和高频低噪声方向发展。电路的集成度越来越高。线条尺寸愈来愈小,图形愈来愈复杂,因此制细线条和大集成度图形的任务越来越艰巨。制版工序是半导体器件制造的先行,器件工艺要求掩模版的质量越来越高,特别是在细线条的套刻变得更加困难。以前用的光刻掩模材料就不能完全适应新发展的要求,必须寻找一种新的光刻掩模材料来满足制版工艺的要求。 我们按照毛主席“自力更生,艰苦奋斗,破除迷信,解放思想。”的教导,勇于实践,敢于创新,首先在原材料方面要求立足国内解决。为了争取时间,少走弯路,根据有关资料介绍和我们现有的条件,选择了Fe_2O_3半透明掩模作为新的掩模材料。