256K 动态RAM |
| |
作者单位: | NEC东芝信息系统公司 日本,东京 |
| |
摘 要: | 在不断地降低成本和提高密度的努力下,256K字×1位的单管单元RMA设计成功,并封装在标准的300密耳16脚的双列直插管壳中。 该RAM设计成与现有的16脚16K RAM和16脚64KRAM相容。管脚排列和照片示于图1。芯片被排列为256行×1024列的矩阵,并在内部组成两个128K RAM。芯片上主要电路块位置示于图2。 存储器单元版图设计见图3,每个单元尺寸为5.7×12.5μ,由于把电容氧化膜厚度减至200(?),使之具有0.035PF的存储电容。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|