|
|||||
|
|
| X 波段砷化镓场效应晶体管 | |
| 作者姓名： | G.别切特 W.虎帕 R.费尔曼 行军 |
| 作者单位： | 费尔查尔德研究与发展实验室(G.别切特，W.虎帕，R.费尔曼) |
| 摘 要： | 做出了10千兆赫微波频率下低噪声放大砷化镓场效应晶体管,使固体放大器频率范围比使用硅晶体管提高2～3倍。GaAs FET 最高振荡频率达30千兆赫,8千兆赫和16千兆赫下测得的功率增益分别为8分贝和3分贝,见图1。4千兆赫下噪声3分贝,低于迄今为止报导的晶体管噪声水平。此外,场效应晶体管噪声随频率的变化较小,8千兆赫下仅为5分贝,见图2。器件制于半绝缘 GaAs 衬底上的10~(17)厘米~(-3)掺硫外延薄膜上。外延层必须很薄(约0.3 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |