| 低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用 |
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| 引用本文： | 邱胜桦,陈城钊,刘翠青,吴燕丹,李平,林璇英,黄翀,余楚迎.低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用[J].功能材料,2008,39(11). |
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| 作者姓名： | 邱胜桦 陈城钊 刘翠青 吴燕丹 李平 林璇英 黄翀 余楚迎 |
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| 作者单位： | [1]韩山师范学院物理与电子工程系,广东潮州521041 [2]汕头大学物理系,广东汕头515063 |
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| 基金项目： | 韩山师范学院扶持科研课题资助项目，韩山师范学院青年科研基金资助项目 |
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| 摘 要： | 以SiH4/H2为气源,用PECVD沉积技术,在低温(200℃)、高压下(230Pa)下制备出优质纳米晶硅薄膜.研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作用.实验表明,氢对纳米晶硅薄膜的高速生长起到非常关键的作用.随着氢稀释率由95%提高至99%,薄膜的晶化率由30%增大到70%,晶粒尺寸由3.0nm增大至6.0nm,而沉积速率却由0.8nm/s降低至0.3nm/s.
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| 关 键 词： | 纳米晶硅薄膜 氢稀释 晶化率 |
The effect of hydrogen on in nano-crystalline thin films prepared at with low temperature and high pressure and fast growth |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF-PECVD |
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