SiO_2掺杂对ZnO–Pr_6O_(11)基压敏电阻性能的影响

研究了SiO_2掺杂对ZnO–Pr_6O_(11)基压敏电阻的微观结构、电性能的影响。结果表明:随着SiO_2掺杂量的增加,压敏电压从137 V/mm增加到434 V/mm,后又减小到101 V/mm;当SiO_2掺杂量为1.5%(摩尔分数)时,非线性系数(α)达到最大(31);当SiO_2掺杂量为3.0%时,压敏电压达到最大,漏电流降到最小(1.1μA/cm2)。当SiO_2掺杂量为1.5%时,损耗角正切值达到最小值;当SiO_2掺杂量为4.5%时,相对介电常数达到最大值。实验证实通过SiO_2掺杂得到了非线性系数高和低损耗的压敏电阻。