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微波等离子体低温制备氮杂二氧化钒薄膜
引用本文:陈金民,黄志良,刘羽,王升高. 微波等离子体低温制备氮杂二氧化钒薄膜[J]. 功能材料, 2007, 38(5): 743-745,749
作者姓名:陈金民  黄志良  刘羽  王升高
作者单位:武汉工程大学,湖北省等离子体重点实验室,湖北,武汉,430073;武汉工程大学,湖北省等离子体重点实验室,湖北,武汉,430073;武汉工程大学,湖北省等离子体重点实验室,湖北,武汉,430073;武汉工程大学,湖北省等离子体重点实验室,湖北,武汉,430073
基金项目:湖北省自然科学基金 , 湖北省科技厅科技攻关项目
摘    要:选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,采用微波等离子体增强法,在低温条件下,成功制备了氮杂二氧化钒薄膜.通过X射线衍射(XRD),FT-IR对样品进行表征,结果表明:合成的样品为多晶氮杂二氧化钒.相变温度测试结果表明:退火工艺可以降低相变温度,同时提高薄膜的结晶度;改变氮气流量,相变温度先降低后升高,当氮气流量为20ml/min时,相变温度可以降低至40℃.

关 键 词:微波等离子体  VO2  氮杂二氧化钒  相变温度
文章编号:1001-9731(2007)05-0743-03
修稿时间:2006-11-012007-01-19

Synthesis VO2-xNy thin films by microwave plasma at low temperature
CHEN Jin-min,HUANG Zhi-liang,LIU Yu,WANG Sheng-gao. Synthesis VO2-xNy thin films by microwave plasma at low temperature[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(5): 743-745,749
Authors:CHEN Jin-min  HUANG Zhi-liang  LIU Yu  WANG Sheng-gao
Affiliation:Hubei Province Key Laboratory of Plasma Chemistry and Advance Materials, Wuhan Institute of Technology, Wuhan 430074,China
Abstract:
Keywords:microwave plasma   VO2   nitrogen doped VO2-xNy   phase transition temperature   thin film
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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