| 适用于中国超宽带标准的0.18μm-CMOS单边带混频器设计 |
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| 引用本文： | 张永琥,张海英,黄水龙,雷牡敏,高振东.适用于中国超宽带标准的0.18μm-CMOS单边带混频器设计[J].电子器件,2010,33(3):281-285. |
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| 作者姓名： | 张永琥 张海英 黄水龙 雷牡敏 高振东 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项资助"新一代宽带无线移动通信网"，国际科技合作项目资助"新一代超宽带无线通信芯片研发" |
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| 摘 要： | 基于0.18 μm-CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的单边带(SSB)混频器.对电流换向型混频器进行分析,提出折叠PMOS跨导级结构使线性度和转换增益得以同时提升,并应用并联峰化技术扩展电路带宽,满足了系统超宽带、高线性度和增益适中的要求.结果表明,在6 GHz～9 GHz范围内,转换增益大于-2 dB且增益平坦,镜像抑制约为90dB,IP-1dB大于0 dBm,ⅡP3大于10 dBm.电路核心面积0.35mm×0.65 mm,工作电压为1.8 V,直流电流10.6 mA.
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| 关 键 词： | 0.18 μm-CMOS 高线性度 超宽带 SSB混频器 折叠 PMOS跨导级 并联峰化 |
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