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F掺杂SnO2透明导电薄膜微结构及性能研究
引用本文:莫建良,陈华,曹涯雁,刘起英,汪建勋,翁文剑,韩高荣.F掺杂SnO2透明导电薄膜微结构及性能研究[J].太阳能学报,2004,25(2):152-156.
作者姓名:莫建良  陈华  曹涯雁  刘起英  汪建勋  翁文剑  韩高荣
作者单位:1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学系,杭州,310027
2. 浙江大学蓝星新材料技术有限公司,杭州,310027
基金项目:国家863高技术计划(2001AA320202)
摘    要:通过实验测量常压热分解CVD工艺制备的F掺杂SnO2薄膜的方块电阻、膜厚、形貌、微结构、中远红外反射率等性质,详细研究了基板温度对SnO2薄膜微结构的影响和微结构与薄膜电学、光学性能之间的关系。研究发现,将基板温度从375℃提高到525℃以上,薄膜结晶程度大大提高,薄膜厚度从25nm提高到近300nm,方块电阻下降了两个数量级,中远红外的反射率达到了85%以上.

关 键 词:CVD  F掺杂SnO2薄膜  微结构  性能

MICROSTRUCTURE AND PROPERTIES OF SnO2:F FILMS PREPARED BY APCVD METHOD
Mo Jianliang,Chen Hua,Cao Yayan,Liu Qiying,Wang Jianxun,Weng Wenjian,Han Gaorong s Sci.& Eng.of Zhejiang University,Hangzhou ,China, .Blue Star New Materials Technology Co.Ltd of Zhejiang University,Hangzhou ,China.MICROSTRUCTURE AND PROPERTIES OF SnO2:F FILMS PREPARED BY APCVD METHOD[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2004,25(2):152-156.
Authors:Mo Jianliang  Chen Hua  Cao Yayan  Liu Qiying  Wang Jianxun  Weng Wenjian  Han Gaorong s Sci& Engof Zhejiang University  Hangzhou  China  Blue Star New Materials Technology CoLtd of Zhejiang University  Hangzhou  China
Affiliation:Mo Jianliang~1,Chen Hua~2,Cao Yayan~2,Liu Qiying~2,Wang Jianxun~2,Weng Wenjian~1,Han Gaorong~1 s Sci.& Eng.of Zhejiang University,Hangzhou 310027,China, 2.Blue Star New Materials Technology Co.Ltd of Zhejiang University,Hangzhou 310027,China)
Abstract:
Keywords:CVD  SnO_2  F Films  Microstructure  Properties
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