| 用基片曲率法测量薄膜应力 |
| |
| 引用本文： | 安兵,张同俊,袁超,崔昆.用基片曲率法测量薄膜应力[J].材料保护,2003,36(7):13-15. |
| |
| 作者姓名： | 安兵 张同俊 袁超 崔昆 |
| |
| 作者单位： | 华中科技大学模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，59971021， |
| |
| 摘 要： | 采用基片曲率法设计和制作了一种测量薄膜应力的装置，它具有简单、无损伤、快速、易于操作、精度高的优点。使用该装置测量了射频磁控溅射镀制的Cu单层膜和Ag／Cu多层膜的应力，结果表明薄膜残余应力是均匀的，但随沉积条件不同而不同。Cu单层膜和Ag／Cu多层膜处于压应力状态，外加-200V偏压时，Ag／Cu多层膜则转变为很小的拉应力状态。XRD表明Ag／Cu多层膜已结晶，呈现Ag(111)／Cu(111)择优取向。
|
| 关 键 词： | 基片曲率法 薄膜 残余应力 |
| 文章编号： | 1001-1560(2003)07-0013-03 |
Stress Measurement of Thin Films by Substrate Curvature Method |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | substrate curvature method thin film residual stress |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
