| 碳化硅材料热导率计算研究进展 |
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| 引用本文： | 张驰,梁汉琴,李寅生,陈健,张景贤.碳化硅材料热导率计算研究进展[J].硅酸盐学报,2015,43(3):268-275. |
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| 作者姓名： | 张驰 梁汉琴 李寅生 陈健 张景贤 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050;中国科学院大学,北京100049
2. 中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050 |
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| 摘 要： | 从声子散射机制出发,介绍了Si C热导率的温度特性和微观导热机理。综述了Si C单晶热导率的2种主要计算方法。Boltzmann-弛豫时间近似(RTA)适用于各个温度段的热导率计算,而分子动力学方法更适用于高温热导率计算。分子动力学方法相比于Boltzmann-RTA方法的优点在于它可以考虑所有高次项的非谐作用。介绍了3种Si C陶瓷热导率近似计算模型,包括界面热阻模型、Debye-Callaway模型及多相系统热导率模型。下一步研究的主要方向仍然是优化计算模型及减少拟合参数。
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| 关 键 词： | 碳化硅 热导率 计算 |
Development of Calculation of Thermal Conductivity of Silicon Carbide |
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| ZHANG Chi
,
LIANG Hanqin
,
LI Yinsheng
,
CHEN Jian
,
ZHANG Jingxian.Development of Calculation of Thermal Conductivity of Silicon Carbide[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2015,43(3):268-275. |
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| Authors: | ZHANG Chi LIANG Hanqin LI Yinsheng CHEN Jian ZHANG Jingxian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide thermal conductivity calculation |
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