| 镁合金微弧氧化技术的研究进展 |
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| 作者姓名： | 董凯辉 宋影伟 单大勇 孙硕 韩恩厚 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院金属研究所 国家金属腐蚀控制工程技术研究中心,沈阳110016; 沈阳工业大学 理学院,沈阳110870;2. 中国科学院金属研究所 国家金属腐蚀控制工程技术研究中心,沈阳,110016;3. 沈阳工业大学 理学院,沈阳,110870 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(51171198);国家重点基础研究发展计划项目(973计划,2013CB632205)~~ |
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| 摘 要： | 结合国内外微弧氧化技术的研究成果,综述了成膜过程火花放电机理及陶瓷层的生长过程,总结了电解液组成、电源类型、工作模式、电参数以及基体材料等对微弧氧化膜性能的影响。根据近年来微弧氧化技术用于镁合金表面处理的发展状况,介绍并分析了几种封孔处理的优化方法,重点介绍了工艺更为简单的原位封孔技术。同时也对镁合金微弧氧化技术的发展趋势和应用前景进行了展望。
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| 关 键 词： | 微弧氧化 镁合金 耐蚀性 氧化工艺 成膜机理 原位封孔 |
| 收稿时间： | 2014-11-02 |
| 修稿时间： | 2015-03-20 |
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