| 亚微米CMOS集成电路的ESD保护新结构 |
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| 引用本文： | 于宗光. 亚微米CMOS集成电路的ESD保护新结构[J]. 微电子技术, 2001, 29(3): 6-17 |
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| 作者姓名： | 于宗光 |
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| 作者单位： | 信息产业部电子第五十八研究所, |
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| 摘 要： | 本文主要介绍几种新型的ESD保护结构，包括互补SCR结构，双寄生SCR结构，低触发电压，高触发电流的横向SCR结构等，利用这些结构可以对CMOS集电路的输入／输出进行有效地ESD保护。
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| 关 键 词： | CMOS 集成电路 ESD保护 |
| 文章编号： | 1008-0147(2001)03-06-12 |
New Structures Used forESD Protection of Sub-Micron CMOS IC's |
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| YU Zong-guang. New Structures Used forESD Protection of Sub-Micron CMOS IC's[J]. Microelectronic Technology, 2001, 29(3): 6-17 |
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| Authors: | YU Zong-guang |
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| Abstract: | In this paper,some new ESD protection structures,such as complementary SCR,dual parasitic SCR,lateral SCR with low-voltage and high-current triggering are discussed.With these structures,the input/output pads of CMOS IC's are protected effectively against the ESD stress. |
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| Keywords: | CMOS IC Electrostatic Discharge(ESD) Protection Lateral Semiconductor Control Rectifier(SCR) |
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