| 基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件 |
| |
| 引用本文： | 刘道广,郝跃,徐世六,李开成,李培咸,张晓菊,张金凤,郑雪峰,张静,刘嵘侃,刘伦才. 基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件[J]. 半导体学报, 2005, 26(1): 102-105 |
| |
| 作者姓名： | 刘道广 郝跃 徐世六 李开成 李培咸 张晓菊 张金凤 郑雪峰 张静 刘嵘侃 刘伦才 |
| |
| 作者单位： | [1]西安电子科技大学微电子所,西安710071／／中国电子科技集团电子24所,重庆400060／／国家模拟集成电路重点实验室,重庆400060 [2]西安电子科技大学微电子所,西安710071 [3]中国电子科技集团电子24所,重庆400060／／国家模拟集成电路重点实验室,重庆400060 |
| |
| 摘 要： | 采用干/湿法腐蚀相结合技术，利用氢氧化钾（KOH）溶液和六氟化硫(SF6)对Si及SiGe材料进行腐蚀，研究自对准Si/SiGe HBT台面器件，获得了fT＝40GHz，fmax＝127.1GHz的结果．
|
| 关 键 词： | 自对准 SiGe材料 干/湿法腐蚀 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)01-0102-04 |
| 修稿时间： | 2003-12-28 |
Self-Aligned SiGe HBT Based on Dry-Wet Etching |
| |
| Liu Daoguang ,,,Hao Yue ,Xu Shiliu ,,Li Kaicheng ,,Li Peixian ,Zhang Xiaoju ,Zhang Jinfeng ,Zheng Xuefeng ,Zhang Jing ,,Liu Rongkan ,,and Liu Luncai . Self-Aligned SiGe HBT Based on Dry-Wet Etching[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 102-105 |
| |
| Authors: | Liu Daoguang Hao Yue Xu Shiliu Li Kaicheng Li Peixian Zhang Xiaoju Zhang Jinfeng Zheng Xuefeng Zhang Jing Liu Rongkan and Liu Luncai |
| |
| Affiliation: | Liu Daoguang 1,2,3,Hao Yue 1,Xu Shiliu 2,3,Li Kaicheng 2,3,Li Peixian 1,Zhang Xiaoju 1,Zhang Jinfeng 1,Zheng Xuefeng 1,Zhang Jing 2,3,Liu Rongkan 2,3,and Liu Luncai 2,3 |
| |
| Abstract: | With dry-wet etching technology,self-aligned SiGe HBTs are studied.The materials of Si and SiGe are etched by KOH solution and SF 6,and the results of f T=40GHz and f max=127GHz are obtained. |
| |
| Keywords: | self-align SiGe material dry-wet etching |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
