| 溅射辅助微波等离子体化学气相沉积SiCN晶体 |
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| 引用本文： | 万军,马志斌,曹宏,吴振辉,汪建华.溅射辅助微波等离子体化学气相沉积SiCN晶体[J].新型炭材料,2010(1). |
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| 作者姓名： | 万军 马志斌 曹宏 吴振辉 汪建华 |
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| 作者单位： | 武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,湖北,武汉,430073 |
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| 摘 要： | 在微波等离子体化学气相沉积系统中,利用脉冲氮离子束溅射二氰二氨靶产生的碳氮粒子作为合成前驱物,在石英玻璃基片上研究了SiCN晶体的合成。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDX)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)研究了基片温度对薄膜的形貌、成分和结构的影响。结果表明:随着基片温度的降低,沉积物由截面为六方形的结晶良好的SiCN晶体(800℃)变成发育不完全的聚片状晶体(700℃),直到变成颗粒细小的无定形碳氮薄膜(550℃)。衍射峰的强度以及晶胞参数a和c的值随温度的降低而减小。薄膜为C原子部分取代Si3N4中的Si原子位置而形成的SiCN晶体,其中N原子主要与Si原子结合,C原子以sp3C—N、sp2CN和sp2CC键的形式存在。降低基片温度有利于提高薄膜中的C含量和sp3C—N键的含量。
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| 关 键 词： | SiCN晶体 微波等离子体 溅射 二氰二氨 |
Preparation of SiCN crystals using microwave plasma CVD assisted by pulsed nitrogen ion beam sputtering |
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| WAN Jun,MA Zhi-bin,CAO Hong,WU Zhen-hui,WANG Jian-hua.Preparation of SiCN crystals using microwave plasma CVD assisted by pulsed nitrogen ion beam sputtering[J].New Carbon Materials,2010(1). |
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| Authors: | WAN Jun MA Zhi-bin CAO Hong WU Zhen-hui WANG Jian-hua |
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| Affiliation: | WAN Jun,MA Zhi-bin,CAO Hong,WU Zhen-hui,WANG Jian-hua(School of Material Science , Engineering,Wuhan Institute of Technology,Key Laboratory of Plasma Chemical , Advanced Materials of Hubei Province,Wuhan 430073,China) |
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| Abstract: | Crystalline silicon carbon nitrides were synthesized on quartz glass substrates by microwave plasma chemical vapor deposition,using precursors produced from a pulsed nitrogen ion beam sputtering dicyandiamide target. The effects of deposition temperature on the morphology,composition and structure of the samples were investigated by scanning electron microscopy,energy dispersive X-ray,X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy. It is found that the surface morphologies of the deposits change fro... |
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| Keywords: | Silicon carbon nitride Microwave plasma Sputtering Dicyandiamide target |
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