| AlGaN/GaN和AlGaN SBD的温度特性研究 |
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| 引用本文： | 李菲,吕长志,段毅,张小玲,李颖,张志国. AlGaN/GaN和AlGaN SBD的温度特性研究[J]. 半导体技术, 2009, 34(5). DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.05.023 |
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| 作者姓名： | 李菲 吕长志 段毅 张小玲 李颖 张志国 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,电子信患与控制工程学院,微电子可靠性研究室,北京,100124;首钢工学院,机电工程系,北京,100041;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性.将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验比较.发现随着温度上升,AlGaN SBD的势垒高度下降,理想因子增加,其影响因素包括热电子发射、场发射、隧穿效应及复合电流效应等机制.而AlGaN/GaN异质结SBD由于受到压电极化场和2DEG和的影响,其势垒高度和理想因子随温度的变化趋势与AlGaNSBD相反.实验结果还显示,AlGaN/GaN异质结SBD的反向电流随着温度的上升,呈现先增大后减小的趋势.
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| 关 键 词： | 肖特基二极管 肖特基势垒高度 理想因子 温度 二维电子气 |
Study on the Temperature Characteristics of AlGaN/GaN and AlGaN SBDs |
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| Li Fei,Lü Changzhi,Duan Yi,Zhang Xiaoling,Li Ying,Zhang Zhiguo. Study on the Temperature Characteristics of AlGaN/GaN and AlGaN SBDs[J]. Semiconductor Technology, 2009, 34(5). DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.05.023 |
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| Authors: | Li Fei Lü Changzhi Duan Yi Zhang Xiaoling Li Ying Zhang Zhiguo |
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| Affiliation: | 1.Microelectronic Reliablity Lab.;School of Electronic Information & Control Engineering;Beijing University of Technology;Beijing 100124;China;2.Department of Mechanical and Electric Engineering;Shougang Institute of Technology;Beijing 100041;3.The 13th Research Institute;CETC;Shijiazhuang 050051;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SBD Schottky barrier height ideality factor temperature 2DEG |
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